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陕西有色光电科技公司氮化硅薄膜沉积工艺取得突破【72779太阳游戏】
发布时间:2023-12-07 02:17浏览次数:
本文摘要:日前,通过对工艺技术的创意研发和重复实验,陕西有色光电科技有限公司太阳能电池PECVD工序获得了关键技术突破,研发出有沉积三层氮化硅膜的拟合工艺条件,电池片转化成效率提高了0.07%-0.1%,现引入产线批量生产。

日前,通过对工艺技术的创意研发和重复实验,陕西有色光电科技有限公司太阳能电池PECVD工序获得了关键技术突破,研发出有沉积三层氮化硅膜的拟合工艺条件,电池片转化成效率提高了0.07%-0.1%,现引入产线批量生产。实验结果表明,三层氮化硅薄膜的互补作用对电池片起着了很好的减半光线效果,第一层氮化硅膜薄在10nm左右,折射率在2.4-2.6之间,起着了很好的腐蚀起到,第二层氮化硅膜薄在30nm左右,折射率在2.0-2.2之间,第三层膜薄在45nm左右,折射率在2.0以内,三层膜系由结构设计可使入射光的太阳光在电池内多次反射,仅次于程度地减少了对光的吸取,明显减少了电池表面的光反射,同时,在实验的过程中将三层氮化硅薄膜沉积工艺改回间断性沉积后,氮化硅薄膜平均值等效厚度在80-85nm,等效折射率为2.08-2.15,平均值反射率减少了2%,比起两层膜的连续性沉积工艺大大提高了氮化硅膜的颗粒性,提升了氮化硅膜对电池片的腐蚀效果,减小了电池片的开路电压和短路电流,从而既明显提升了电池片的切换效率,又很大地提高了原本两层膜工艺经常出现的色差问题。光电科技公司电池事业部工艺技术研发团队坚决高标准、严要求的工作理念,探讨太阳能电池生产工艺前沿技术不懈展开科技创新,持续研制成功关键技术,相结合公司享有的当今国际光伏行业最先进设备的全自动生产线,持续对电池产线各道工序展开工艺优化、技术升级,例如5主栅高效单/多晶电池片、无网结技术引入等,从而使得电池片切换效率超过国内一流水平,各项性能指标超过业内第一,获得了国内外客户的普遍接纳,夺得了较好口碑。


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